中科院驳斥谣言：5nm光刻技术被误解，国内水平在180nm

今年7月，中国科学院发表了题为“超分辨率激光光刻技术以制造5nm间隙电极和阵列”的研究论文，引起了广泛关注。

当时，华为受到美国的镇压，中国的芯片产业成为了中国人民的后顾之忧。

因此，中国科学院的这一消息一出，就被一些媒体夸大和误解，立即引起轰动。

一些媒体将其解释为“中国可以在没有EUV光刻机的情况下制造5nm芯片”，但事实并非如此。

最近，该论文的通讯作者刘谦在接受《财经》杂志记者采访时给出了答案。

刘谦说，本文介绍的新的5nm超高精度激光光刻处理方法主要用于光掩模的生产。

它不是一种极端的紫外线光刻技术。

一些媒体混淆了两者的概念。

在光刻工艺中，光源通过激光将电路设计图写在光掩模上，然后照射硅晶片的表面，然后执行蚀刻工艺。

可以看出，光掩模是集成电路光刻机制造中必不可少的部分，并且它还限制了集成电路的线宽。

人们经常提到12nm，5nm等，是集成电路的线宽。

长期以来，中国只能制造低端光掩模，必须依靠海外技术和材料。

高端光掩膜已经成为“卡住脖子”的一种。

我国的技术。

全球高端光掩模市场主要由美国Photronics，日本印刷有限公司和Japan Toppan垄断，剩余的市场份额很小。

因此，尽管中国科学院所征服的这项新技术并未像某些媒体所言过的夸张，但对于我国高端光掩模市场的突破仍然具有重要意义。

该技术具有完全独立的知识产权，并具有成本较低的优势。

但是，该技术仍处于实验室阶段，要实现商业化应用并不容易。

而且，我国的光刻机技术还有很长的路要走。

根据AI Finance and Economics的消息，半导体行业的一位资深人士说：我国可以实现180nm工艺，但它仍处于试验阶段，需要克服。

为什么中国的光刻机技术发展如此缓慢？半导体行业的一些人说这是工业环境的问题。

以前，国产设备不受欢迎，客户不愿意配合使用和测试。

这阻碍了我国光刻机产业的发展。

但是，在华为受到美国制裁之后，许多相关的制造商改变了看法，意识到将关键技术和设备掌握在自己手中的重要性。

中国集成电路产业的发展速度大大加快。

但是，当中国远远落后时，要取得突破并不容易。

但即便如此，国产芯片仍必须有信心并继续追赶。

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