SRAM和DRAM的介绍，原理和特点

SRAM可以保存其中存储的数据，而无需刷新电路。 SRAM具有更高的性能和更低的功耗。
SRAM主要用于辅助缓存。它使用晶体管来存储数据。
但是SRAM也有缺点。集成度低。
可以将具有相同容量的DRAM存储器设计为较小的体积，但SRAM需要较大的体积。相同面积的硅芯片可以制造更大容量的DRAM，因此SRAM更加昂贵。
SRAM快速但昂贵，并且小容量SRAM通常用作高速CPU和低速DRAM之间的高速缓存。 SRAM存储原理SRAM使用双稳态触发器作为存储元件。
电容器刷新没有问题。只要正常供电，触发器就可以稳定地存储数据，因此被称为静态随机存取存储器。
存储单元的每一位都由一个触发器和一个选通电路组成。整个存储器由存储单元阵列和控制电路组成。
SRAM的特点是易于连接和使用（不需要刷新电路），工作稳定，访问速度快（约为动态随机访问存储器DRAM的3到5倍），易于使用；由于每个存储位都有多个晶体管，因此，单个芯片的存储容量不易提高，集成度低，价格昂贵。由于价格相对较高，计算机的主存储器很少使用，主要用作缓存。
DRAM是一种半导体存储器，其主要功能是使用电容器中存储的电荷量来表示二进制位是1还是0。与SRAM相比，DRAM的优点是结构简单。
数据的每一位只需要一个电容器和一个晶体管即可处理。相反，SRAM存储芯片上的一个位通常需要六个晶体管。
因此，DRAM具有非常高的密度，较高的每单位体积容量并因此具有较低的成本。 DRAM存储原理DRAM的每个存储单元都是由晶体管和小电容器实现的。
如果写入位为“ 1”，则电容器被充电：如果写入位为“ 0”，则电容器不被充电。读取时，请使用晶体管读取与其连接的电容器的充电状态。
如果电容器被充电，则该位为“ 1”；否则，该位为“ 1”。如果电容器未充电，则该位为“ O”。
DRAM的特点是，每个存储位仅使用一个晶体管和一个小电容器，因此集成度相对较高。就单个芯片的存储容量而言，DRAM可以远远超过SRAM。
就相同容量的芯片而言，DRAM的价格也远低于SRAM的价格。这两个优点使DRAM成为计算机内存的主要角色。
DRAM的行和列地址时分多路复用控制以及对刷新控制的需求使其比SRAM的接口更为复杂。 DRAM的访问速度通常比SRAM慢。
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