随着5G的飞速发展，RF半导体设计人员希望为5G系统找到新的材料和新的设计/架构。图1：5G系统需要新的半导体材料。由于5G使用不同的高频频段来实现高速数据传输，因此5GRF前端模块对功率放大器，滤波器，开关，LNA和天线调谐器的需求增加了一倍，并且速度出乎意料地快。对于智能手机设计者来说，数量众多的组件（其中许多仍是独立组件）令人头疼，他们必须将所有这些RF模块压入5G手机中。 5G智能手机开发人员还担心RF设备的质量，散热和能效，因为它们可能会降低RF前端模块的性能。 “因此，越来越多的RF芯片设计公司正在寻找满足5GRF严格要求的新材料和基板。” Soitec首席执行官Paul Boudre表示，使用SOI技术可以为这些新兴领域提供低价格和高性能。良好，高度可靠的解决方案。 Soitec在SOI晶圆上取得了巨大的成功，并且正准备通过进入复合材料的新世界来扩展业务。 Boudre提到，Soitec计划“开发，制造和提供基于Soitec工程衬底的新材料”。适用于芯片制造商。 Soitec开发的新材料包括：压电绝缘体（POI）工程衬底，用于生产高性能表面声波（SAW）滤波器组件，主要用于4G和5G新无线电（NR）频段。 GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶片。 Soitec去年收购了比利时Imect的子公司EpiGaN，并获得了外延晶片的开发和制造技术。通过将EpiGaN整合到公司并购买必要的工具，Soitec计划进入苛刻的5GGaN功率放大器市场。 Soitec将在今年开始交付基于其SmartCut专有技术开发的碳化硅（SiC）晶片样品。 Soitec的SmartCut工艺使Soitec的工程师可以指定材料并从这些材料中生长单晶层，然后将这些生长层从一种基材转移到另一种基材上。以此方式，可以形成晶片的活性层，其可以独立于支撑机械基础而被控制和管理。 Soitec首席执行官Paul Boudre先生已确认他参加了2020年11月5日在深圳举行的ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”（单击查看峰会的介绍和注册信息）。那时，他将发表主题“优化基板以增强边缘计算能力”。精彩的演讲。第三届ASPENCORE全球双顶峰会仍选择在世界上最具包容性的深圳举行，并邀请全球电子行业最谨慎的领导人聚首一堂，与来自世界各地的来宾和观众分享碰撞最热烈的技术话题。所有行业。电子行业的从业者掌握了市场的未来。原标题：5G时代我们需要哪种晶圆？ -全球CEO峰会文章的亮点资料来源：[微信公众号：FPGA开发圈]欢迎您关注！请指出转载文章的来源。