在2020年闪存峰会上，一家名为NeoSemiconductor的初创公司因其在闪存方面的创新而获得了最佳演示奖。该公司表示，它可以描述“ 3DNAND的未来架构”。称为X-NAND。 NeoSemi声称其技术的应用“导致QLCNAND具有与SLCNAND相当的读/写性能”。对于PC游戏玩家和发烧友而言，拥有更快的存储空间和更高的承受能力并不是一个吸引人的目标。 NeoSemi表示，其高速，低成本解决方案将为新兴应用带来好消息，例如AI / ML，5G，实时分析，VR / AR和网络安全。 NeoSemi指出，随着闪存NAND存储器的容量从SLC变为QLC，负担能力的发展已“显着放缓”。该公司表示，目前的情况是QLC对于某些需要高速存储访问的应用来说太慢了。一些公司试图通过使用DRAM和SLC缓存来解决此问题。 NeoSemi的技术称为X-NAND，并使用了不同的方法。 X-NAND改善了芯片级的并行性，从而大大加快了QLCNAND的速度。通常，这将意味着芯片尺寸的显着增加，但是当使用X-NAND时，该体系结构已被设计为“页面缓冲器可以同时读取/写入几条位线”。这项技术听起来非常吸引人，但是不幸的是，NeoSemi目前没有可工作的原型芯片来向投资者展示。为了从理性理论过渡到实用性，初创企业正在寻找发展伙伴。 NeoSemi表示，现有NAND制造商在现有工艺中实施其专利设计并不难。希望它在闪存峰会上引起关注，意味着它的设计和技术将会取得成果。