什么是OptiMOS™源底部安装的25 V功率MOSFET？它有什么作用？英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）通过专注于解决当前的电源管理设计挑战，实现了系统创新和创新。提高组件水平。 “源底部位置”是符合行业标准的新包装概念。英飞凌已经推出了基于这种封装概念的第一批功率MOSFET。它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业基准。它不仅降低了导通电阻（RDS（on）），而且具有业界领先的热性能指标。该产品适用于广泛的应用，包括电机驱动器，SMPS（包括服务器，电信和OR-ing），电池管理等。新的封装概念将源极（而不是传统的漏极）连接到导热垫。除了实现新的PCB布局外，这还有助于实现更高的功率密度和性能。当前推出的两种型号占据不同的电路板区域。它们是：具有底部源极和标准栅极布局的PQFN 3.3x3.3 mm封装； PQFN 3.3x3.3 mm封装，带有底部源极和中心栅极。 。源极位于底部，标准的栅极布局封装基于当前的PQFN 3.3x3.3 mm引脚布局。电气连接的位置保持不变，这有利于用新的源极底部固定封装简单，直接地替换当今的标准漏极底部固定封装。在具有居中栅极的封装中，栅极引脚移至中心位置，以促进多个MOSFET的并联连接。由于增加的漏-源爬电距离，多个器件的栅极可以连接到PCB的同一层。另外，将栅极接口移动到中心位置可以增加源极面积，从而改善器件的电连接。与现有技术相比，这项技术创新可以大大降低RDS（on），降低幅度高达30％。与现有的PQFN封装相比，结至外壳的热阻（RthJC）也得到了极大的改善。由于减少了寄生效应，改善了PCB损耗，并具有出色的热性能，新的封装概念可以为任何当代工程设计带来巨大的附加值。以上是对OptiMOS™源底部安装的25 V功率MOSFET的分析，希望对大家有所帮助。