1. MOS晶体管的并联。每个人都了解接线规则。几个MOS晶体管并联连接。漏极和源极布线必须基于几个MOS晶体管的总电流来计算。从理论上讲，如果要使用一个单独的MOS晶体管如果电流不能偏移平均电流的10％，则系统总线上的总特性阻抗必须控制在并联所有MOS晶体管内部电阻的10％以内。例如，如果电流超过50A，则并联连接4个RU75N08R。 RU75N08的典型值为8mΩ，并联连接为2mΩ。然后，漏极或源极接线电阻必须在2mΩ* 10％=0.2mΩ的范围内工作。可以确保10％的均流引起偏差。如果PCB铜的厚度和总宽度相对有限，我们可以添加铜芯线或基于散热器实现较低的布线内阻。 2. MOS管并联的可行性。从下面的某个MOS管的温度曲线图可以看出，MOS管内电阻的温度特性是随着温度的升高，内电阻也会膨胀。原因（例如RDSON低，电流路径短等）导致某个MOS管具有相对较大的电流。该MOS管会变得很热，内部电阻会增加，电流会下降，因此可以对其进行分析。MOS管具有自动均流的功能，便于并联。 3. MOS管并联供电电路。从理论上讲，MOS管可以由N个MOS管并联连接。实际上，更多的MOS管并联将很容易导致更长的布线并增加整个电感器中的电容器，这将对高频电路的工作造成严重危害。下面以4为例，说明MOS管的应用。并联的一般原理图。从下图可以看出，R1-4是栅极驱动器电阻，每个MOS管都由单独的栅极驱动器电阻保护。主要目的是避免每个MOS管的寄生振荡并减少振动的影响。如何取R1-4的值？如果该值太小，则很可能无法达到避免每个MOS管寄生振荡的效果。如果该值变大，则由于每个MOS管的结电容会略有不同，因此功率开关速率将减慢。结果，太大的值将继续导致每个MOS晶体管的导通和截止速率相对较大。因此，在可以避免每个MOS晶体管的寄生振荡的条件下，R1-4可以尽可能小以考虑功率开关速率。关于R5-R8的栅极下拉电阻，关键功能是避免在驱动器IC破坏引线路径时MOS管的欺诈性连接。在某些独特的应用中，例如机器电流受限制的电池保护板，该电阻通常具有很大的值或没有值，因此栅极的特性阻抗会相对较高，并且很容易产生高静电感应磁感应破坏MOS。管的网格。这种应用在栅极和源极之间并联连接一个15V稳压二极管以对其进行保护。 q