下面介绍影响分流器采样精度的电阻因素。分流器的初始电阻偏差：电阻器的初始电阻偏差，这是众所周知的，例如常用的厚膜电阻器（如0603封装），一般精度为1％或5％，是指室温下的电阻偏差。出厂后固定初始电阻偏差。例如，在室温下实际测量的标称电阻值为100Ω的电阻为101Ω，初始偏差为1％。这是一个插入。关于电阻精度，规格通常会给出精度。实际上，这是初始偏差，或者从狭义上讲是精度。实际电阻值会受到许多因素的影响，例如下图中的各种测试项目。考虑到这些影响因素后，它才是真正意义上的准确性概念。当然，对于分流器，初始偏差越小越好，但是可以通过校准来补偿初始偏差，因此分流器的初始精度不需要特别高。某个分流器的初始偏差如下（下图来自ISA）。电阻温度系数TCR：电阻温度系数（temperaturecoefficientofresistance），代表温度变化1℃时电阻值的相对变化，单位为ppm /℃或ppm / K；电阻值不是常数，它随温度变化而变化，即温度漂移，TCR是用来描述温度漂移程度的量。但是，由于TCR是非线性的，为了更清楚地说明温度漂移的值，通常使用平均TCR，其计算公式如下（图片来自KOA）； T0通常为25°C（也选择20°C），并且T可以为正或负。下图显示了某些分流器的TCR曲线（来自BOURNS）。它基于最大平均TCR（50ppm / K）绘制两条直线，并且实际分流TCR在两条直线之间变化。请参考以下某种类型的分流器的规格（来自BOURNS官方网站），它包括两部分，一个是电阻合金，另一个是采样点。我们发现，采样点的TCR远大于合金的TCR。这是因为采样点包含合金，焊点和一小部分铜，这是三者整合后的TCR。不幸的是，当我们使用分流器时，实际的TCR处于采样点。因此通常为了校正TCR的影响，我们也使用校准方法预先获得TCR曲线并将其补偿到实际计算中。分流器发热问题：为了减少温度漂移等不利影响，直接措施是增加散热量，选择大功率分流器。另外，有些因素也不容忽视。例如，分流器与铜条之间的接触电阻也会影响热量的积累（图片来自瑞思官方网站）；该接触电阻与安装转矩有关，一般在一定范围内，转矩越大，接触电阻越小；另外，它还涉及分流表面上的镀层。与镀镍和OSP相比，镀锡具有更低的接触电阻。另外，我在上一篇文章中介绍了EMF的机制。从理论上讲，EMF越小越好； EMF越小越好。这是加热的问题，我将总结EMF对分流器的实际影响：每个人都知道，真正的分流器是铜合金。 -铜三者的组合，实际上是两个热电势将同时在分流器上产生，并且方向相反。如果分流器两端的温度相同，则两个热电势将被抵消，从而使EMF无效；反之，则不起作用。但是，如果分流器两端的温度不同，则取消后两个热电势将不会为0V，而是叠加在合金的压降上。原理如下图所示（图片来自瑞思官方网站）。简介：BMS中使用的电阻传感器之一是NTC，另一个是分流器。到目前为止，我们已经总结了基本知识。相比之下，两者之间存在一些有趣的差异。例如，NTC中不使用TCR。使用B值是因为需要更改电阻值。以上内容仅供参考。