什么是高可靠性，高性能的100V半桥MOSFET驱动器？有什么特点？全球领先的半导体解决方案提供商瑞萨电子集团（TSE：6723）今天宣布推出两种新型100V半桥MOSFET驱动器-HIP2211和HIP2210。 HIP2211是瑞萨电子流行的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品。新型HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电源和电机驱动器设计。 HIP2211和HIP2210非常适合48V通信电源，D类音频放大器，太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用，可以为锂离子电池供电的家用和户外产品，水泵和冷却风扇中的48V电动机驱动器供电。 HIP221x驱动器旨在在恶劣的工作条件下可靠运行。其高速高压HS引脚可承受高达-10V的连续电压，并以50V / ns的速度转换。全面的欠压保护和HIP2210＆＃39;的可编程防击穿保护一起工作，以确保其驱动的MOSFET不会由于电源或其他外部故障而损坏。瑞萨HIP221x驱动器具有强大的3A驱动源电流和4A驱动灌电流，以及非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配。它是高频开关应用的最佳解决方案。 HIP2210和HIP2211产品均设计为可与瑞萨电子的微控制器一起使用。先进的DC / DC和无刷电机驱动系统。瑞萨电子工业和通信部门副总裁Philip Chesley表示：“创新的HIP221x延续了我们在哈里斯智能电源（HIP）半桥驱动器开发领域25年的行业领先历史。强大而强大的抗噪声能力，出色的低传播延迟和高系统效率是我们客户整个HIP半桥MOSFET驱动器系列所依赖的关键特性。 “ HIP2211和HIP2210的主要特性•15VDC自举电源的最大电压（最大绝对值为120V HS）可以支持100V半桥结构•宽VDD电压，工作范围为6V至18V（最大绝对值为20V）•HS引脚可以承受高达-10V的电压和50V / ns的电压转换率Ÿ集成了0.5Ω的典型自举二极管，无需使用外部分立二极管VDD和UVLO向导来防止低栅极电压驱动NFETŸ通过RDT引脚可调节死区时间（仅适用于HIP2210）为了防止击穿，单个电阻器可在35ns至350ns的范围内调节。供货信息HIP2211和HIP2210现在可用。可以从瑞萨电子购买。全球分销商，千片批购价均为每片1.3美元。 HIP2211采用8引脚SOIC和10引脚4mm x 4mm TDFN封装。以上是对高可靠性，高性能的100V半桥MOSFET驱动器的分析，希望对大家有所帮助。