台积电在研发上取得了重要突破！ 2024年量产2nm工艺晶体管

众所周知，台积电的2nm工艺将采用差分晶体管设计。

这种设计称为多桥沟道场效应（MBCFET）晶体管，它是对以前的FinFET设计的补充。

9月25日，台湾半导体制造公司（TSMC）在2nm半导体制造节点的研发方面取得了重要突破：预计台积电将于2023年中期进入2nm工艺的试生产阶段，并将在一年后开始批量生产。

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台积电第一次决定将MBCFET设计用于其晶体管，而不是将其移交给代工厂。

三星在去年4月宣布了其3nm制造工艺的设计。

该公司的MBCFET设计是对2017年与IBM共同开发和推出的GAAFET晶体管的改进。

与GAAFET相比，三星的MBCFET使用纳米线。

这增加了可用于传导的表面积，更重要的是，它允许设计人员在不增加横向表面积的情况下向晶体管添加更多的栅极。

据了解，台积电预计其2nm工艺芯片的良率在2023年将达到惊人的90％。

如果是这种情况，那么该晶圆厂将能够很好地完善其制造工艺，并在2024年轻松实现批量生产。

三星发布了MBCFET，与7nm设计相比，预计3nm晶体管的功耗将分别降低30％和45％，性能将提高30％。

目前，台积电的最新制造工艺是其第一代5纳米工艺，该工艺将用于为iPhone 12等设备制造处理器。