从侧面了解二极管，老板将向您展示5种不同类型的二极管！

在本文中，编辑人员将介绍齐纳二极管，PIN二极管，Ezaki二极管，快速关断二极管和肖特基二极管的相关内容和情况，以帮助您提高对二极管的了解。让我们一起阅读以下内容。
1.齐纳二极管首先，让我们看一下齐纳二极管。稳压二极管的出现逐渐取代了稳压电子二极管，体现了它们的作用。
齐纳二极管通常以硅为原料，大多数为扩散型或合金型。关于反向击穿特性曲线，齐纳二极管表现出突然的变化。
这种二极管的功能是控制电压和标准电压。如果有此要求，则可以选择一个齐纳二极管。
齐纳二极管的工作电压以10％的间隔分为多个级别，最低电压为3V，最高电压为150V。在工作期间，齐纳二极管的动态电阻通常很小，不会干扰应用。
2. PIN二极管（PIN二极管）阅读齐纳二极管的基本信息后，我们将了解PIN二极管。 PIN二极管内部具有本征半导体。
本征半导体位于P区域和N区域之间，并在PIN型二极管命名中表示为I。在一种情况下，PIN二极管失去了整流功能，可以用作阻抗元件。
在这种情况下，工作频率超过100MHz。随着电压的变化，其阻抗值也将变化。
零偏置和直流反向偏置操作都使“固有”阻抗值变为零。区域始终处于高状态。
当直流正向偏置时，PIN二极管将处于低阻抗状态。在实际应用过程中，高频开关，调制和限幅电路是PIN二极管的主要应用场景。
3.隧道二极管（Tunnel Diode）在阅读了PIN二极管的基本信息之后，我们将了解下姜扎基二极管。 Ezaki二极管本质上仍是晶体二极管，但是Ezaki二极管的主要电流成分是由共轭半导体的量子力学效应产生的隧穿电流。
在正常情况下，砷化镓和锗是制造Ezaki二极管的基本材料。在Ezaki二极管的N型和P型区域中，杂质浓度通常较高。
那么，Ezaki二极管中的隧道效应如何发生？首先，导带和全带之间需要费米能级。其次，Ezaki二极管需要具有小于或等于0.01微米的空间电荷层宽度。
值得注意的是，就空穴和电子而言，存在一定的可能性，它们在简并的半导体的P型区域和N型区域的相同能级处重叠。从结构组成的角度来看，江崎二极管是一种两端有源器件。
第四，快速关断（逐步恢复）二极管（Step Recovary Diode）在阅读了Ezaki二极管的基本信息之后，让我们了解了快速关断（逐步恢复）二极管。它也是具有PN结的二极管。
其结构特征是：在PN结的边界处存在陡峭的杂质分布区域，从而形成“自助电场”。因为PN结在正向偏置下与少数载流子导电，并且在PN结附近具有电荷存储效应，所以其反向电流需要经历“存储时间”。
才能降至最小值（反向饱和电流值）。在此，“自助电场”被称为“自电场”。
阶跃恢复二极管的输出端缩短了存储时间，迅速切断了反向电流，并产生了丰富的谐波分量。 5.肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）在阅读了快速关断（逐步恢复）二极管的基本信息之后，我们将学习肖特基二极管。
这是一种“金属半导体结”。具有肖特基特性的二极管。
其正向启动电压低。除了材料之外，金属层还可以由金，钼，镍，钛和其他材料制成。
它的半导体材料是硅或砷化镓，主要是N型半导体。这种器件由多数载流子传导，因此其反向饱和电流要比少数载流子传导的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，因此其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是用于高频和快速切换的理想设备。
以上是编辑本次希望与您分享的有关齐纳二极管，PIN二极管，Ezaki二极管，快速关断二极管和肖特基二极管的内容。希望您对这次共享的内容有一定的了解。
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