HIT电池

HIT太阳能电池是具有HIT结构的硅太阳能电池。

所谓的HIT（具有本征薄层的异质结）结构是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅和n型硅衬底之间添加未掺杂层。

采用该工艺后，（本征）氢化非晶硅膜改变了PN结的性能。

因此，转换效率为20.7％，开路电压为719mV，并且整个过程可以在低于200℃的温度下实现。

HIT太阳能电池保持着每单位面积世界领先的发电水平。

HIT具有制备温度低，转换效率高，温度特性高的特点，是一种低成本，高效率的电池。

HIT的转换效率越高，其具有与传统硅太阳能电池相当的优势。

低温制备：成本优势发射极非常薄：低吸收宽带隙发射极：低吸收，高Voc高Voc：高转换效率，低温度系数（转换效率对温度不敏感）：高温下高耐辐射性区域：可以在太空中使用。

1.晶圆清洗和纹理2.在正面通过PECVD制备本征非晶硅膜和P型非晶硅膜3.在背面通过PECVD制备本征非晶硅膜和N型非晶硅薄膜4通过溅射法在两面沉积透明导电氧化物膜5.丝网印刷电极的制备1非晶硅太阳能电池的研究，现在主要集中在改善非晶硅膜本身的性能以降低缺陷密度。

严格控制a-Si / cSi界面的质量，不断降低缺陷状态的密度。

2优化光阱并降低反射率。

3提高透明导电膜的导电性和透射率。

4降低金属栅极线的接触电阻。